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芯闻速递丨英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发
发布时间:2021-09-14


英飞凌科技和松下公司签署协议,共同开发和生产二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力相结合,标志着英飞凌对氮化镓功率半导体日益增长的需求的战略拓展。根据市场需求,Gen2将被开发为650V GaN HEMT。这些器件将易于使用,并提供更高的性价比,主要针对高功率和低功率SMPS应用、可再生能源、电机驱动应用等。


对于许多设计来说,氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。与硅MOSFET相比,氮化镓HEMT具有出色的特定动态导通电阻和更小的电容,因此更适于做高速开关。由此带来的能耗节省和系统总成本降低、可以在更高频率、更高的功率密度和整体系统效率下工作,使GaN成为对设计工程师非常有吸引力的选择。




英飞凌电源和传感器系统事业部总裁Andreas Urschitz表示:“除了与第1代相同的高可靠性标准外,由于转向8英寸晶圆制造,下一代客户将因晶体管更易控制以及显著改善的成本定位而受益。如同双方联合开发的第一代器件(即英飞凌的CoolGaN™和松下的X-GaN™),第二代器件将基于常闭型硅基氮化镓晶体管结构,再结合混合型漏极嵌入式栅极注入晶体管(HD-GIT)结构无可比拟的稳健性,使这些组件成为市场上的首选产品和最长期可靠的解决方案之一。”


松下电器工业解决方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示:“我们很高兴能扩大与英飞凌在氮化镓组件方面的伙伴关系和合作。在这种联合方式下,我们将能够以最新的创新发展为基础,提供高品质的第一代和第二代器件。”