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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。

功率器件的输出电流能力

器件的输出电流能力首先是由芯片决定的，但是IGBT芯片的关断电流能力很强，在单管里是标称电流的3倍或4倍，模块由于考虑多芯片并联等因素，关断电流能力定义为标称电流的2倍。

在实际系统设计中，器件输出电流能力往往受限于芯片的散热，在器件设计中也有可能受限端子，这可以从封装中的大电流规格器件中看出，其电流受绑定线（引线）的限制。

如IKQ150N65EH7，一个TO-247封装的150A 650V单管，其集电极直流电流在Tc=25℃时和Tc=100℃一致，都是160A，限制是引线。

摘自IKQ150N65EH7数据手册

再看一个900A 1200V的EconoDUAL™3模块，其关断电流能力可以到1800A。这样如果芯片温度不超过Tvjmax，输出有效值电流是1289A，但受功率端子限制，ITRMS=580A。

摘自FF900R12ME7_B11数据手册

参考微信文章《功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗》

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