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功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

/ 前言 /

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。

驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8 300mil宽体封装的EiceDRIVER™ 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC紧凑型单通道隔离式栅极驱动器，驱动电流高达+/-18A，且具有两级电压变化率控制和有源米勒钳位，获得UL 1577和VDE 0884-11认证，而1ED3125MU12F采用DSO-8 150mil窄体封装，驱动电流也高达+/-10A，这对于器件的散热是个挑战。

面对驱动电路散热设计的挑战，关键一步是精确的热设计，保证工作结温不要超过器件允许的最高工作结温。这就需要一种简单的结温估算方法，通过测量器件表面温度来推算结温，这是工程师的梦想。为此英飞凌在数据手册上给出了热系数Ψth(j-top)，通过测温和计算获取结温信息。

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