近日，2025年国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）隆重召开，在同期公布的全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）获奖榜单中，英飞凌科技EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V 模块斩获年度功率半导体/驱动器奖项。全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业，对获奖公司来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，代表了在业界的领先地位与不凡表现。

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块

——搭载了1200V SiC MOSFET M1H芯片，以高功率密度、高效率及高可靠性的独特优势，成为大功率应用的理想选择，助力工业电源、可再生能源及电动商用车等领域。

——具备 175℃过载耐温能力，可在苛刻的高温环境下可靠运行，且具有较高的栅极阈值电压，以减轻寄生导通，从而避免了额外的功率损耗和系统故障，保障工业电源、电动商用车等系统在紧凑设计中实现高效可靠运行，聚焦功率密度优化与热管理升级，助力工业系统迈向更小体积、更高能效的未来。

展望未来，英飞凌科技将以此次荣获WEAA年度大奖为契机，坚持以创新为核心驱动力，不断突破硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等多种关键半导体材料的创新边界，推动全球电子产业的持续创新与进步。