国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）2025全球电子成就奖近日揭晓，英飞凌CoolGaN™系列获评“年度潜力第三代半导体技术”；同期，EEVIA 2025硬科技产业纵横奖也将其列入“E马当先新品榜”，连获两项行业认可。

行业首创，集成创新

英飞凌CoolGaN™ MV Transistor G5区别于传统GaN器件的最大亮点，在于其业内首创地在器件内部集成了肖特基二极管。这一大胆创新，有效降低了器件在反向导通时的能量损耗，使其在硬开关 (Hard Switching) 应用中表现尤为出色。此外，CoolGaN™ MV G5采用紧凑型3 x 5 mm PQFN封装，电压等级高达100 V，导通电阻低至1.5 mΩ，极大地提高了开关速度和系统效率。

凭借集成化设计，CoolGaN™ MV G5不仅减少了对外部器件的依赖，优化了系统布局，还显著降低了设计复杂度与整体BOM成本，有效提升了系统的可靠性和终端产品的市场竞争力。无论是数据中心、工业自动化还是高效服务器电源，新一代CoolGaN™ MV G5都能带来更低损耗、更高能效和更灵活的设计可能。

英飞凌CoolGaN™ BDS 650 V是英飞凌在全球率先推出的双向功率开关（Bidirectional Switch）产品，将两颗常关型650 V GaN HEMT以共源共栅结构反向单片集成于同一封装，实现一颗器件即可控制双向电流，彻底取代传统“两颗MOSFET背对背”方案。通过行业首创的GaN-on-Si单片双向技术，器件在±650 V范围内提供无体二极管、无反向恢复损耗的硬开关能力，RDS(on)低至50 mΩ，Qrr=0，栅极电荷减少70%，系统效率提升2%–3%。集成式驱动器与ESD保护单元进一步简化栅极回路设计，降低寄生参数，使图腾柱PFC、微型逆变器、电池主动均衡、固态断路器等双向拓扑首次在功率密度>100 W/in³、开关频率>500 kHz的条件下实现>99%峰值效率。CoolGaN™ BDS 650 V以单芯片创新，重新定义了双向功率转换的能效与可靠性标杆。

性能引领，赋能更多场景

英飞凌CoolGaN™ MV Transistor G5产品系列涵盖多种规格，全面满足工业、通信和消费级应用的严苛需求。其中，100 V CoolGaN™ G5适合高性能工业电源、服务器DC-DC转换、智能马达控制、逆变器、充电桩等应用，为宽禁带器件在高频、高能效场景中的广泛应用铺平了道路。其优异的反向传导损耗管理能力，实现了系统能效与集成度的同步提升，同时兼容多种主流控制器，为方案设计者提供了空前的灵活性和便利性。

英飞凌CoolGaN™ BDS 650V，该产品率先在单芯片上实现双向电流控制能力，可直接替代传统双开关结构，大幅简化双向能量流应用的电路设计。无论是储能系统、V2G车网互动，还是工业UPS，这一高度集成化创新，大大优化了器件数量、缩小了体积与系统成本，为宽禁带半导体加速渗透广泛应用场景提供了坚实支撑。

属于未来的力量

英飞凌始终坚持技术创新，致力于通过CoolGaN™等领先产品推动第三代半导体技术的普及与升级。未来，英飞凌将继续以创新型宽禁带电力电子器件引领行业跃迁，让绿色能源与高能效解决方案惠及全球更多应用。

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