近日，英飞凌荣获2023第三代半导体年度国际领军企业奖，同期其62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，荣获年度行家极光奖最具影响力产品奖。两项大奖再次展现了英飞凌在碳化硅和氮化镓技术领域的创新能力和行业领先地位。

英飞凌荣获2023第三代半导体年度国际领军企业奖

英飞凌荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖

随着与GaN Systems的成功并购，英飞凌再度成为市场上领先提供全范围功率半导体技术组合——氮化镓(GaN)，碳化硅(SiC)和硅(Si)的公司，提供高度可靠的GaN e-mode HEMT、碳化硅及硅功率场效应管，和从数瓦到兆瓦的高能效全面解决方案。本次活动中，英飞凌电源与传感系统事业部市场总监卢柱强先生在氮化镓论坛带来演讲，重点介绍了英飞凌氮化镓的全新产品组合、技术创新、市场定位以及对未来发展的预期。英飞凌零碳工业功率事业部高级市场顾问陈子颖先生在碳化硅论坛发表演讲“零碳时代，碳化硅器件的机遇与挑战”，强调了英飞凌在碳化硅器件应用领域的优势与潜力。点击下方链接了解更多英飞凌氮化镓(GaN)相关信息。

GaN HEMT – 氮化镓晶体管

2023年上市的62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块采用沟槽栅，大大提升器件参数、可靠性及寿命。2000V的电压等级，可简化1500VDC光伏系统拓扑设计，将传统IGBT器件的三电平方案简化为两电平，使1500VDC光伏系统效率上了新台阶。

通过碳化硅扩展成熟的62mm 封装的产品，满足了快速开关要求和低损耗，高效率的应用，适用于储能系统，电动汽车充电，光伏逆变器，牵引，以及UPS等应用。

采用62mm封装的2000 V产品组合包含3.5 mΩ/300 A和2.6 mΩ/400 A两种型号，还有评估板可供选择。了解更多信息，请点击下方链接访问。

CoolSiC™产品

英飞凌深耕碳化硅与氮化镓领域，不断进行技术打磨和沉淀，不遗余力地在第三代半导体领域做出自己的贡献，为全球客户提供更为高效、可靠的产品解决方案。